メモリのタイミングとは？

メモリのパフォーマンスが話題になると、たいていの人はメモリモジュールの速度を思い浮かべます。モジュールの速度（DDR2 800MHz、DDR3 1,600MHz、DDR4 2,400MHzまたはMT/秒など）はデータ転送機能の尺度です。これに対し、タイミングはメモリがアクションの実行要求に応答する速度を定義します。

メモリのタイミングは、通常、数値形式で表示され、DDR3メモリのタイミングの一般的な例として9-9-9-24が挙げられます。次の表に、各種のDDRメモリの標準的なタイミングの例を示します。

最も一般的には、タイミングはCAS Latency（CL）、Row Column Delay（tRCD）、Row Precharge Time（tRP）、Row Active Time（tRAS）の4つに分類されます。上の表にDDR4のtRASが抜けていることにお気づきかもしれませんが、この値は新しいメモリテクノロジーで別の番号と統合されているため、該当しなくなっています。

最も一般的に知られているメモリのタイミングはCAS Latencyでしょう。この値は一般にパフォーマンスと同義ですが、時に誤解を招く場合があります。CAS Latencyの値はメモリが新しい情報に迅速に応答する能力を示すものなので、ほとんどの人はこの値が低いほど良いと思っています。この認識には誤りがあり、通常は新しい種類のメモリの方が古い種類のメモリよりCASレイテンシーがはるかに高くなっています。

新しい種類のメモリほどレイテンシーが大きいのはなぜでしょうか。各種のタイミングと共に、Clock Cycle Timeと呼ばれる属性があります。これはメモリが新しいコマンドセットを準備する速さを表す測定値です。DDR4などの新しい種類のメモリはそれ以前のメモリと比べてClock Cycle Timesが格段に速くなっています。下の表に示すように、これは実質的にTrue Latency（実際の速度）がはるかに高速になったことを意味します。速度とレイテンシーの詳細については、こちらの詳しい記事をご覧ください。

多くの場合、メモリについて心配する必要はありません。Crucial® Advisor™ツールまたはSystem Scannerツールでお使いのコンピューターと互換性があることが確認されたメモリを購入すれば、お使いのシステムを実行できる機能を備えていることが保証されます。この原則の唯一の例外は、自作パソコン向けに高性能Ballistix®を購入する場合です。CPUによっては、対応するメモリの速度とレイテンシーが制限されている場合があるので、高性能メモリと組み合わせる前に必ずCPUが対応する最大メモリ速度を確認することをお勧めします。ご不明な点はCrucialのサポートにお問い合わせください。